Элементы транзисторной логики (или ТЛ) строят путем параллельного подключения коллекторов транзисторов к общему резистору коллекторной нагрузки. Выходное напряжение снимается с объединенных коллекторов. Если на один из входов поступает высокий уровень напряжения, то соответствующий транзистор открывается, и на выходе устанавливается низкий уровень сигнала. Высокий уровень напряжения формируется на выходе только в случае подачи на все входы низких уровней.То есть на элементах транзисторной логики реализуется функция ИЛИ-НЕ.В элементах транзисторной логики с непосредственными связями (или ТЛНС) входные сигналы подают непосредственно на базы транзисторов VT1 и VT2. Серьезный недостаток ТЛНС - неравномерное распределение тока между базами нагрузочных транзисторов. Такая неравномерность связана с различием входных характеристик транзисторов, обусловленным не технологическим разбросом, а неизбежным различием коллекторных токов насыщенных транзисторов.В элементах транзисторной логики с резисторными связями (или ТЛРС) в цепи баз транзисторов включены резисторы. Они позволяют выравнивать входные характеристики транзисторов в цепях баз. При этом возрастает уровень логической единицы, логический перепад уровней и допустимое напряжение статической помехи, но снижается быстродействие.В схеме транзисторной логики с резисторно-конденсаторными связями (или ТЛРКС) для ускорения переходных процессов резисторы шунтированы конденсаторами. В момент переключения предыдущего элемента эти конденсаторы на некоторое время шунтируют резисторы и обеспечивают повышенные значения базовых токов, тем самым снижая длительность фронта.